Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	UF3SC065007K4S
Цена	0 ₽	0 ₽	16 460 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	—	—
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	Not Applicable
mounting type	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-247-4
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
supplier device package	—	—	TO-247-4
вид монтажа:	—	—	Through Hole
категория продукта:	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	—	+175 C
минимальная рабочая температура:	—	—	-55 C
подкатегория:	—	—	MOSFETs
производитель:	—	—	UnitedSiC
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	—	—	30
серия:	—	—	UF3SC
тип продукта:	—	—	MOSFET
торговая марка:	—	—	UnitedSiC
упаковка:	—	—	Tube
упаковка / блок:	—	—	TO-247-4
время нарастания:	—	—	46 ns
время спада:	—	—	14 ns
коммерческое обозначение:	—	—	SiC FET
pd - рассеивание мощности:	—	—	789 W
количество каналов:	—	—	1 Channel
технология:	—	—	SiC
конфигурация:	—	—	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	120A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	650V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	12V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	214nC @ 15V
power dissipation (max)	—	—	789W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	9mOhm @ 50A, 12V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	6V @ 10mA
id - непрерывный ток утечки:	—	—	120 A
qg - заряд затвора:	—	—	214 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	—	9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	—	650 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	—	-12 V, +12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	—	6 V
канальный режим:	—	—	Enhancement
полярность транзистора:	—	—	N-Channel
тип транзистора:	—	—	1-N Channel
типичное время задержки выключения:	—	—	72 ns
типичное время задержки при включении:	—	—	36 ns