Сравнение

TK31E60X,S1X
Цена 0 1 700
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок TO-220-3
серия TK31E60X
длина 10.16 mm
время нарастания 22 ns
время спада 6 ns
коммерческое обозначение DTMOSIV
pd - рассеивание мощности 230 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 7.7 A
qg - заряд затвора 65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 73 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 130 ns
типичное время задержки при включении 55 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль