Сравнение

	STW15N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 8,8А, 190Вт, TO247	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	1 090 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вес, г	4.51	1.95
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)	—
mounting type	Through Hole	—
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)	—
package	Tube	—
package / case	TO-247-3	—
rohs status	ROHS3 Compliant	—
вид монтажа	Through Hole	—
категория продукта	МОП-транзистор	—
максимальная рабочая температура	+ 150 C	—
минимальная рабочая температура	55 C	—
подкатегория	MOSFETs	—
размер фабричной упаковки	600	—
тип продукта	MOSFET	—
торговая марка	STMicroelectronics	—
упаковка	Tube	—
упаковка / блок	TO-247-3	—
eccn	EAR99	—
htsus	8541.29.0095	—
серия	STW15N80K5	—
reach status	REACH Unaffected	—
supplier device package	TO-247	—
коммерческое обозначение	MDmesh	—
series	SuperMESH5в„ў ->	—
pd - рассеивание мощности	190 W	—
количество каналов	1 Channel	—
base product number	STW15 ->	—
Вес и габариты	—	—
технология	Si	—
конфигурация	Single	—
technology	MOSFET (Metal Oxide)	—
other related documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL	—
id - непрерывный ток утечки	14 A	—
qg - заряд затвора	32 nC	—
rds вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms	—
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V	—
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V	—
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V	—
канальный режим	Enhancement	—
полярность транзистора	N-Channel	—
тип транзистора	1 N-Channel	—
current - continuous drain (id) @ 25в°c	14A (Tc)	—
drain to source voltage (vdss)	800V	—
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V	—
fet type	N-Channel	—
gate charge (qg) (max) @ vgs	32nC @ 10V	—
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1100pF @ 100V	—
power dissipation (max)	190W (Tc)	—
rds on (max) @ id, vgs	375mOhm @ 7A, 10V	—
vgs (max)	В±30V	—
vgs(th) (max) @ id	5V @ 100ВµA	—
способ монтажа	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	-55…+125
количество фаз	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	1000
при iпр.,а	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	50