Сравнение

	STW15N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 8,8А, 190Вт, TO247
Цена	1 090 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	4.51
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	STW15N80K5
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-247
коммерческое обозначение	MDmesh
series	SuperMESH5в„ў ->
pd - рассеивание мощности	190 W
количество каналов	1 Channel
base product number	STW15 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки	14 A
qg - заряд затвора	32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	14A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	800V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	32nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1100pF @ 100V
power dissipation (max)	190W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	375mOhm @ 7A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	5V @ 100ВµA