Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IRFZ44RPBF, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.028 Ом, 10 В, 4 В
Цена 0 0 0 0 550
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 50
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-220-3
серия AP7384 IRFZ
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
вес, г 2
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-220AB
длина 10.41 mm
base product number IRFZ44 ->
технология Si
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
current - continuous drain (id) @ 25в°c 50A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 60V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 67nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 1900pF @ 25V
power dissipation (max) 150W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 28mOhm @ 31A, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль