Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	SI3459BDV-T1-GE3, MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
Цена	0 ₽	0 ₽	250 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—
упаковка	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	—
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
вес, г	—	—	0.02
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	3000
manufacturer:	—	—	Vishay
maximum operating temperature:	—	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	SMD/SMT
product category:	—	—	MOSFET
product type:	—	—	MOSFET
series:	—	—	SI3
subcategory:	—	—	MOSFETs
packaging:	—	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:	—	—	SI3459BDV-T1-BE3 SI3459BDV-GE3
package/case:	—	—	TSOP-6
tradename:	—	—	TrenchFET
pd - power dissipation:	—	—	3.3 W
number of channels:	—	—	1 Channel
technology:	—	—	Si
configuration:	—	—	Single
channel mode:	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	2.9 A
qg - gate charge:	—	—	7.7 nC
rds on - drain-source resistance:	—	—	216 mOhms
transistor polarity:	—	—	P-Channel
transistor type:	—	—	1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	60 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	3 V
typical turn-off delay time:	—	—	18 ns
typical turn-on delay time:	—	—	5 ns