Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A STF24N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II Plus, полевой, 600В, 11А, 30Вт
Цена 0 0 0 0 420
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3
серия AP7384
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
вес, г 3
линейка продукции MDmesh DM2
количество выводов 3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 30Вт
power dissipation 30Вт
напряжение истока-стока vds 600В
полярность транзистора N Канал
стиль корпуса транзистора TO-220FP
непрерывный ток стока 18А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.175Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs
rds on - drain-source resistance 200mО© @ 9A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 600V
vgs - gate-source voltage 5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 18A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c) 30W(Tc)
монтаж транзистора Through Hole
drain source on state resistance 0.175Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль