Сравнение

	AP7384-33Y-13	STF24N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II Plus, полевой, 600В, 11А, 30Вт
Цена	0 ₽	420 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	—
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	MDmesh DM2
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	MSL 1-Безлимитный
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	3
channel type	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	30Вт
power dissipation	—	30Вт
напряжение истока-стока vds	—	600В
полярность транзистора	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	TO-220FP
непрерывный ток стока	—	18А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.175Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	4В
rds on - drain-source resistance	—	200mО© @ 9A,10V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	600V
vgs - gate-source voltage	—	5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	18A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	30W(Tc)
монтаж транзистора	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	0.175Ом