Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	STF19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 25Вт, TO220FP
Цена	0 ₽	0 ₽	260 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Through Hole
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вес, г	—	—	2.34
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-220-3 Full Pack
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	—	Through Hole
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	1000
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	STMicroelectronics
упаковка	—	—	Tube
упаковка / блок	—	—	TO-220-3
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
серия	—	—	STF19NF20
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	TO-220FP
длина	—	—	10.4 mm
время нарастания	—	—	22 ns
время спада	—	—	11 ns
коммерческое обозначение	—	—	MESH OVERLAY
series	—	—	MESH OVERLAYв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	—	25 W
количество каналов	—	—	1 Channel
base product number	—	—	STF19 ->
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	—	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки	—	—	15 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	160 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	20 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	19 ns
типичное время задержки при включении	—	—	11.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	15A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	200V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	10V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	24nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	800pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	25W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	160mOhm @ 7.5A, 10V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	4V @ 250ВµA