Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	TP86R203NL,LQ	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	270 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вес, г	0.851	1.95
вид монтажа	SMD/SMT	—
категория продукта	МОП-транзистор	—
максимальная рабочая температура	+ 150 C	—
минимальная рабочая температура	55 C	—
подкатегория	MOSFETs	—
размер фабричной упаковки	2500	—
тип продукта	MOSFET	—
торговая марка	Toshiba	—
упаковка / блок	SOP-8	—
серия	TP86R203NL	—
длина	4.9 mm	—
время нарастания	4 ns	—
время спада	3.5 ns	—
pd - рассеивание мощности	1.9 W	—
количество каналов	1 Channel	—
Вес и габариты	—	—
технология	Si	—
конфигурация	Single Quad Drain	—
id - непрерывный ток утечки	19 A	—
qg - заряд затвора	17 nC	—
rds вкл - сопротивление сток-исток	7 mOhms	—
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V	—
vgs - напряжение затвор-исток	20 V	—
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.3 V	—
канальный режим	Enhancement	—
полярность транзистора	N-Channel	—
тип транзистора	1 N-Channel	—
типичное время задержки выключения	20 ns	—
типичное время задержки при включении	11 ns	—
способ монтажа	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	-55…+125
количество фаз	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	1000
при iпр.,а	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	50