Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805ADTR-G1	AP7383-44W5-7	STF16N65M2
Цена	0 ₽	0 ₽	780 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—
load regulation:	20 mV	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—
mounting style:	SMD/SMT	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—
series:	AS7805	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—
Вес и габариты	—	—	—
moisture sensitive:	Yes	—	—
output current:	1 A	—	—
output voltage:	5 V	—	—
output type:	Fixed	—	—
quiescent current:	6 mA	—	—
polarity:	Positive	—	—
line regulation:	25 mV	—	—
package / case:	TO-252-2	—	—
вес, г	—	—	2.3
package / case	—	—	TO-220FP-3
вид монтажа	—	—	Through Hole
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	1000
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	STMicroelectronics
упаковка	—	—	Tube
упаковка / блок	—	—	TO-220-3
серия	—	—	STF16N65M2
время нарастания	—	—	8.2 ns
время спада	—	—	11.3 ns
minimum operating temperature	—	—	- 55 C
factory pack quantity	—	—	1000
manufacturer	—	—	STMicroelectronics
maximum operating temperature	—	—	+ 150 C
mounting style	—	—	Through Hole
packaging	—	—	Tube
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	STF16N65M2
subcategory	—	—	MOSFETs
unit weight	—	—	0.081130 oz
pd - рассеивание мощности	—	—	25 W
количество каналов	—	—	1 Channel
configuration	—	—	Single
fall time	—	—	11.3 ns
rise time	—	—	8.2 ns
number of channels	—	—	1 Channel
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	25 W
id - непрерывный ток утечки	—	—	11 A
qg - заряд затвора	—	—	19.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	2 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	36 ns
типичное время задержки при включении	—	—	11.3 ns
channel mode	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	320 mOhms
transistor polarity	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	650 V
vgs - gate-source voltage	—	—	25 V
id - continuous drain current	—	—	11 A
typical turn-on delay time	—	—	11.3 ns
typical turn-off delay time	—	—	36 ns
qg - gate charge	—	—	19.5 nC
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	2 V