Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	STF16N65M2
Цена	780 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	2.3
package / case	TO-220FP-3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	STF16N65M2
время нарастания	8.2 ns
время спада	11.3 ns
minimum operating temperature	- 55 C
factory pack quantity	1000
manufacturer	STMicroelectronics
maximum operating temperature	+ 150 C
mounting style	Through Hole
packaging	Tube
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	STF16N65M2
subcategory	MOSFETs
unit weight	0.081130 oz
pd - рассеивание мощности	25 W
количество каналов	1 Channel
configuration	Single
fall time	11.3 ns
rise time	8.2 ns
number of channels	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	Si
pd - power dissipation	25 W
id - непрерывный ток утечки	11 A
qg - заряд затвора	19.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	36 ns
типичное время задержки при включении	11.3 ns
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	320 mOhms
transistor polarity	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	650 V
vgs - gate-source voltage	25 V
id - continuous drain current	11 A
typical turn-on delay time	11.3 ns
typical turn-off delay time	36 ns
qg - gate charge	19.5 nC
vgs th - gate-source threshold voltage	2 V