Сравнение

	SI2312BDS-T1-E3, Диодно-тиристорный модуль
Цена	33 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.05
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	SOT-23-3
серия	SI2
длина	2.9 mm
время нарастания	30 ns
время спада	10 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	1.25 W
другие названия товара №	SI2312BDS-E3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	5 A
qg - заряд затвора	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	31 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	30 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	35 ns
типичное время задержки при включении	9 ns