Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A STF13N65M2
Цена 0 0 0 630
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C +150 C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3 Full Pack
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка / блок TO-220FP-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия STF13N65M2
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-220FP
время нарастания 7.8 ns
время спада 12 ns
коммерческое обозначение MDmesh
factory pack quantity 1000
manufacturer STMicroelectronics
mounting style Through Hole
product category MOSFET
product type MOSFET
series MDmeshв„ў M2 ->
subcategory MOSFETs
pd - рассеивание мощности 25 W
количество каналов 1 Channel
base product number STF13 ->
configuration Single
fall time 12 ns
rise time 7.8 ns
number of channels 1 Channel
tradename MDmesh
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
pd - power dissipation 25 W
id - непрерывный ток утечки 10 A
qg - заряд затвора 17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 370 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 38 ns
типичное время задержки при включении 11 ns
channel mode Enhancement
current - continuous drain (id) @ 25в°c 10A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 650V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 17nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 590pF @ 100V
power dissipation (max) 25W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 430mOhm @ 5A, 10V
vgs (max) В±25V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
rds on - drain-source resistance 370 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 650 V
vgs - gate-source voltage 25 V
id - continuous drain current 10 A
typical turn-on delay time 11 ns
typical turn-off delay time 38 ns
qg - gate charge 17 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 2 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль