Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	STF12N50M2, Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Цена	0 ₽	0 ₽	230 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	—	Through Hole
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	1000
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	STMicroelectronics
упаковка	—	—	Tube
упаковка / блок	—	—	TO-220-3
серия	—	—	STF12N50M2
время нарастания	—	—	10.5 ns
время спада	—	—	34.5 ns
коммерческое обозначение	—	—	MDmesh
количество выводов	—	—	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	—	85 W
количество каналов	—	—	1 Channel
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
channel type	—	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	—	85Вт
power dissipation	—	—	85Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	500В
id - непрерывный ток утечки	—	—	10 A
qg - заряд затвора	—	—	15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	325 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	2 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	8 ns
типичное время задержки при включении	—	—	13.5 ns
стиль корпуса транзистора	—	—	TO-220FP
непрерывный ток стока	—	—	10А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.325Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	3В
монтаж транзистора	—	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	—	0.325Ом