Сравнение

STF11N60DM2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.37 Ом, TO-220FP, Through Hole
Цена 340
Информация о производителе
Основные
вес, г 1.9
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия STF11N60DM2
время нарастания 6.3 ns
время спада 9.5 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 25 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 10 A
qg - заряд затвора 16.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 370 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 31 ns
типичное время задержки при включении 11.7 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль