Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	STF38N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 30 А, 0.073 Ом, TO-220FP, Through Hole
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	1 300 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	1000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	STMicroelectronics
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	TO-220-3
серия	AP7384	—	—	STF38N65M5
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	Tube
вес, г	—	—	—	2.3
линейка продукции	—	—	—	MDmesh V
коммерческое обозначение	—	—	—	MDmesh
количество выводов	—	—	—	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	—	—	35 W
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	—	MSL 1-Безлимитный
технология	—	—	—	Si
channel type	—	—	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	—	—	35Вт
power dissipation	—	—	—	35Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	—	650В
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	19 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	95 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	650 V
полярность транзистора	—	—	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	—	TO-220FP
непрерывный ток стока	—	—	—	30А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	—	0.073Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	—	4В
монтаж транзистора	—	—	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	—	—	0.073Ом