Сравнение

UF3C120080K4S
Цена 3 240
Информация о производителе
Основные
moisture sensitivity level (msl) Not Applicable
mounting type Through Hole
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-247-4
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-247-4
Вес и габариты
technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
current - continuous drain (id) @ 25в°c 33A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 1200V
drive voltage (max rds on, min rds on) 12V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 43nC @ 12V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 1500pF @ 100V
power dissipation (max) 254.2W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 12V
vgs (max) В±25V
vgs(th) (max) @ id 6V @ 10mA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль