Сравнение

AP7384-70V-A STP150N3LLH6, Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Цена 0 0 240
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
pin count 3
packaging Tube
product category Power MOSFET
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 175
mounting Through Hole
part status Obsolete
pcb changed 3
ppap No
standard package name TO-220
supplier package TO-220AB
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 110000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
number of elements per chip 1
channel type N
tab Tab
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 80
maximum drain source resistance (mohm) 3.3 10V
maximum drain source voltage (v) 30
maximum gate source leakage current (na) 100
maximum gate source voltage (v) ±20
maximum gate threshold voltage (v) 2.5
maximum idss (ua) 1
typical fall time (ns) 46
typical gate charge @ vgs (nc) 40 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf) 4040 25V
typical rise time (ns) 18
typical turn-off delay time (ns) 75
typical turn-on delay time (ns) 17
operating junction temperature (°c) 175
typical output capacitance (pf) 740
maximum diode forward voltage (v) 1.1
maximum positive gate source voltage (v) 20
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) 320
minimum gate threshold voltage (v) 1
typical gate plateau voltage (v) 3.8
typical gate to drain charge (nc) 15.8
typical gate to source charge (nc) 16.3
typical reverse recovery charge (nc) 35
typical reverse recovery time (ns) 34
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) 425 25V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль