Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	STP150N3LLH6, Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	240 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—	—
number of outputs	1	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—	—
выходной ток	50мА	—	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—	—
width	2.6mm	3.8mm	—	—
pin count	3+Tab	3	—	3
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—	—
output type	Fixed	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—	—
maximum output current	50mA	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
packaging	—	—	—	Tube
product category	—	—	—	Power MOSFET
automotive	—	—	—	No
eu rohs	—	—	—	Compliant with Exemption
lead shape	—	—	—	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	—	—	—	175
mounting	—	—	—	Through Hole
part status	—	—	—	Obsolete
pcb changed	—	—	—	3
ppap	—	—	—	No
standard package name	—	—	—	TO-220
supplier package	—	—	—	TO-220AB
eccn (us)	—	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	—	110000
minimum operating temperature (°c)	—	—	—	-55
configuration	—	—	—	Single
number of elements per chip	—	—	—	1
channel type	—	—	—	N
tab	—	—	—	Tab
channel mode	—	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	—	80
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	—	3.3 10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	—	30
maximum gate source leakage current (na)	—	—	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	—	—	±20
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	—	2.5
maximum idss (ua)	—	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	—	46
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	—	40 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	—	4040 25V
typical rise time (ns)	—	—	—	18
typical turn-off delay time (ns)	—	—	—	75
typical turn-on delay time (ns)	—	—	—	17
operating junction temperature (°c)	—	—	—	175
typical output capacitance (pf)	—	—	—	740
maximum diode forward voltage (v)	—	—	—	1.1
maximum positive gate source voltage (v)	—	—	—	20
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a)	—	—	—	320
minimum gate threshold voltage (v)	—	—	—	1
typical gate plateau voltage (v)	—	—	—	3.8
typical gate to drain charge (nc)	—	—	—	15.8
typical gate to source charge (nc)	—	—	—	16.3
typical reverse recovery charge (nc)	—	—	—	35
typical reverse recovery time (ns)	—	—	—	34
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf)	—	—	—	425 25V