|
|
|
|
|
| Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
0 ₽
|
250 ₽
|
| Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
—
|
| Основные |
—
|
—
|
—
|
—
|
| вид монтажа |
SMD/SMT
|
Through Hole
|
—
|
Through Hole
|
| категория продукта |
LDO регуляторы напряжения
|
LDO регуляторы напряжения
|
—
|
МОП-транзистор
|
| количество выходов |
1 Output
|
1 Output
|
—
|
—
|
| максимальная рабочая температура |
+ 125 C
|
+ 125 C
|
—
|
+ 150 C
|
| минимальная рабочая температура |
40 C
|
40 C
|
—
|
55 C
|
| подкатегория |
PMIC - Power Management ICs
|
PMIC - Power Management ICs
|
—
|
MOSFETs
|
| продукт |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Regulators
|
—
|
—
|
| размер фабричной упаковки |
3000
|
2000
|
—
|
3000
|
| тип продукта |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Voltage Regulators
|
—
|
MOSFET
|
| торговая марка |
Diodes Incorporated
|
Diodes Incorporated
|
—
|
STMicroelectronics
|
| упаковка / блок |
SOT-23-3
|
TO-92-3
|
—
|
TO-251-3
|
| серия |
AP7384
|
—
|
—
|
STD4NK80Z
|
| выходной ток |
50 mA
|
50 mA
|
—
|
—
|
| нестабильность выходной нагрузки |
0.5 %
|
0.5 %
|
—
|
—
|
| тип выхода |
Fixed
|
Fixed
|
—
|
—
|
| выходное напряжение |
7 V
|
7 V
|
—
|
—
|
| полярность |
Positive
|
Positive
|
—
|
—
|
| входное напряжение (макс.) |
40 V
|
40 V
|
—
|
—
|
| Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
—
|
| входное напряжение мин. |
3.3 V
|
3.3 V
|
—
|
—
|
| нестабильность выходного напряжения или тока |
0.05 %/V
|
0.05 %/V
|
—
|
—
|
| напряжение отпускания |
500 mV
|
500 mV
|
—
|
—
|
| подавление пульсаций питания - типич. |
60 dB
|
60 dB
|
—
|
—
|
| упаковка |
—
|
Ammo Pack
|
—
|
Tube
|
| moisture sensitivity level (msl) |
—
|
—
|
—
|
1 (Unlimited)
|
| mounting type |
—
|
—
|
—
|
Through Hole
|
| operating temperature |
—
|
—
|
—
|
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
|
| package |
—
|
—
|
—
|
Tube
|
| package / case |
—
|
—
|
—
|
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
|
| rohs status |
—
|
—
|
—
|
ROHS3 Compliant
|
| eccn |
—
|
—
|
—
|
EAR99
|
| htsus |
—
|
—
|
—
|
8541.29.0095
|
| reach status |
—
|
—
|
—
|
REACH Unaffected
|
| supplier device package |
—
|
—
|
—
|
I-PAK
|
| длина |
—
|
—
|
—
|
6.6 mm
|
| время нарастания |
—
|
—
|
—
|
12 ns
|
| время спада |
—
|
—
|
—
|
32 ns
|
| series |
—
|
—
|
—
|
SuperMESHв„ў ->
|
| pd - рассеивание мощности |
—
|
—
|
—
|
80 W
|
| количество каналов |
—
|
—
|
—
|
1 Channel
|
| base product number |
—
|
—
|
—
|
STD4NK80 ->
|
| технология |
—
|
—
|
—
|
Si
|
| конфигурация |
—
|
—
|
—
|
Single
|
| technology |
—
|
—
|
—
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
| other related documents |
—
|
—
|
—
|
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
|
| id - непрерывный ток утечки |
—
|
—
|
—
|
3 A
|
| qg - заряд затвора |
—
|
—
|
—
|
22.5 nC
|
| rds вкл - сопротивление сток-исток |
—
|
—
|
—
|
3.5 Ohms
|
| vds - напряжение пробоя сток-исток |
—
|
—
|
—
|
800 V
|
| vgs - напряжение затвор-исток |
—
|
—
|
—
|
30 V
|
| канальный режим |
—
|
—
|
—
|
Enhancement
|
| полярность транзистора |
—
|
—
|
—
|
N-Channel
|
| тип транзистора |
—
|
—
|
—
|
1 N-Channel
|
| типичное время задержки выключения |
—
|
—
|
—
|
35 ns
|
| типичное время задержки при включении |
—
|
—
|
—
|
13 ns
|
| current - continuous drain (id) @ 25в°c |
—
|
—
|
—
|
3A (Tc)
|
| drain to source voltage (vdss) |
—
|
—
|
—
|
800V
|
| drive voltage (max rds on, min rds on) |
—
|
—
|
—
|
10V
|
| fet type |
—
|
—
|
—
|
N-Channel
|
| gate charge (qg) (max) @ vgs |
—
|
—
|
—
|
22.5nC @ 10V
|
| input capacitance (ciss) (max) @ vds |
—
|
—
|
—
|
575pF @ 25V
|
| power dissipation (max) |
—
|
—
|
—
|
80W (Tc)
|
| rds on (max) @ id, vgs |
—
|
—
|
—
|
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
|
| vgs (max) |
—
|
—
|
—
|
В±30V
|
| vgs(th) (max) @ id |
—
|
—
|
—
|
4.5V @ 50ВµA
|
