Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	STD3NK90ZT4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 3А, 12Вт, DPAK
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	500 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	—
серия	AP7384	—	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
вес, г	—	—	—	0.59
pin count	—	—	—	3
packaging	—	—	—	Tape and Reel
product category	—	—	—	Power MOSFET
automotive	—	—	—	No
eu rohs	—	—	—	Compliant with Exemption
lead shape	—	—	—	Gull-wing
maximum operating temperature (°c)	—	—	—	150
mounting	—	—	—	surface mount
part status	—	—	—	active
pcb changed	—	—	—	2
ppap	—	—	—	No
standard package name	—	—	—	TO-252
supplier package	—	—	—	DPAK
eccn (us)	—	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	—	90000
minimum operating temperature (°c)	—	—	—	-55
configuration	—	—	—	Single
process technology	—	—	—	SuperMESH
number of elements per chip	—	—	—	1
channel type	—	—	—	N
tab	—	—	—	Tab
channel mode	—	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	—	3
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	—	4800 10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	—	900
maximum gate source leakage current (na)	—	—	—	10000
maximum gate source voltage (v)	—	—	—	±30
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	—	4.5
maximum idss (ua)	—	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	—	18
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	—	22.7
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	—	22.7 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	—	590 25V
typical rise time (ns)	—	—	—	7
typical turn-off delay time (ns)	—	—	—	45
typical turn-on delay time (ns)	—	—	—	18
rds on - drain-source resistance	—	—	—	4.8О© @ 1.5A,10V
transistor polarity	—	—	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	900V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	4.5V @ 50uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	—	—	3A
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	—	—	90W