Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A	AP7383-44W5-7	STL36N55M5, N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL36N55M5
Цена	0 ₽	0 ₽	1 580 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вес, г	1	—	5
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—
load regulation:	20 mV	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—
mounting style:	SMD/SMT	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—
series:	AS7805	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—
Вес и габариты	—	—	—
moisture sensitive:	Yes	—	—
output current:	1 A	—	—
output voltage:	5 V	—	—
output type:	Fixed	—	—
quiescent current:	6 mA	—	—
polarity:	Positive	—	—
line regulation:	25 mV	—	—
package / case:	TO-252-2	—	—
pin count	—	—	5
packaging	—	—	Tape and Reel
product category	—	—	Power MOSFET
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
lead shape	—	—	no lead
maximum operating temperature (°c)	—	—	150
mounting	—	—	surface mount
part status	—	—	active
pcb changed	—	—	5
ppap	—	—	No
supplier package	—	—	Power Flat
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	2800
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single Triple Source
вид монтажа:	—	—	SMD/SMT
категория продукта:	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	—	—	- 55 C
подкатегория:	—	—	MOSFETs
производитель:	—	—	stmicroelectronics
серия:	—	—	Mdmesh M5
тип продукта:	—	—	MOSFET
торговая марка:	—	—	stmicroelectronics
размер фабричной упаковки:	—	—	3000
упаковка / блок:	—	—	PowerFLAT-8x8-5
время нарастания:	—	—	13 ns
время спада:	—	—	13 ns
process technology	—	—	MDmesh
коммерческое обозначение:	—	—	MDmesh
чувствительный к влажности:	—	—	Yes
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	N
pd - рассеивание мощности:	—	—	150 W
количество каналов:	—	—	1 Channel
технология:	—	—	Si
material	—	—	Si
конфигурация:	—	—	Single
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	22.5
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	90 10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	550
maximum gate source leakage current (na)	—	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	—	±25
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	5
maximum idss (ua)	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	32
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	62
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	62 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	2670 100V
typical rise time (ns)	—	—	13
typical turn-off delay time (ns)	—	—	45
id - непрерывный ток утечки:	—	—	22.5 A
qg - заряд затвора:	—	—	62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	—	90 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	—	550 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	—	- 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	—	4 V
канальный режим:	—	—	Enhancement
полярность транзистора:	—	—	N-Channel
тип транзистора:	—	—	1 N-Channel