Сравнение

SI1070X-T1-GE3
Цена 0 160
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.032
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок SC-89-6
серия SI1
длина 1.66 mm
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 236 mW
другие названия товара № SI1070X-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 1.2 A
qg - заряд затвора 8.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 99 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 700 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль