Сравнение

STF9N60M2, Транзистор: N-MOSFET
Цена 0 290
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия STF9N60M2
время нарастания 7.5 ns
время спада 13.5 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 20 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 5.5 A
qg - заряд затвора 10 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 780 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 22 ns
типичное время задержки при включении 8.8 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль