Сравнение

AP7384-70V-A Si4056ADY-T1-GE3, Dual N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V, 8-Pin SO-8
Цена 0 79
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
manufacturer: Vishay
maximum operating temperature: +150 C
minimum operating temperature: -55 C
mounting style: SMD/SMT
product category: MOSFET
product type: MOSFET
subcategory: MOSFETs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
package/case: SOIC-8
tradename: TrenchFET
pd - power dissipation: 5 W
number of channels: 1 Channel
technology: Si
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 8.3 A
qg - gate charge: 19.2 nC
rds on - drain-source resistance: 29.2 mOhms
transistor polarity: N-Channel
transistor type: TrenchFET Power MOSFET
vds - drain-source breakdown voltage: 100 V
vgs - gate-source voltage: -20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 2.5 V
typical turn-off delay time: 19 ns
typical turn-on delay time: 9 ns
forward transconductance - min: 49 S
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль