Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	TK12A60W,S4VX, Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Цена	0 ₽	0 ₽	550 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	3
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	Through Hole
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	55 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	50
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Toshiba
упаковка	—	Ammo Pack	Tube
упаковка / блок	—	TO-92-3	TO-220-3
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
серия	—	—	TK12A60W
длина	—	—	10 mm
время нарастания	—	—	23 ns
время спада	—	—	5.5 ns
коммерческое обозначение	—	—	DTMOSIV
packaging	—	—	Magazine
product category	—	—	Power MOSFET
pd - рассеивание мощности	—	—	35 W
количество каналов	—	—	1 Channel
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
maximum operating temperature (°c)	—	—	150
mounting	—	—	Through Hole
part status	—	—	active
pcb changed	—	—	3
standard package name	—	—	TO-220
supplier package	—	—	TO-220SIS
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	35000
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single
package height	—	—	15
package length	—	—	10
package width	—	—	4.5
process technology	—	—	DTMOSIV
технология	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	1
конфигурация	—	—	Single
channel type	—	—	N
tab	—	—	Tab
material	—	—	Si
id - непрерывный ток утечки	—	—	11.5 A
qg - заряд затвора	—	—	25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	300 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	2.7 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	85 ns
типичное время задержки при включении	—	—	45 ns
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	11.5
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	300@10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	600
maximum gate source leakage current (na)	—	—	1000
maximum gate source voltage (v)	—	—	±30
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	3.7
maximum idss (ua)	—	—	10
typical fall time (ns)	—	—	5.5
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	25
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	25@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	890@300V
typical rise time (ns)	—	—	23
military	—	—	No