Сравнение

SQD45P03-12_GE3
Цена 0 530
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.33
mounting type Surface Mount
package type DPAK(TO-252)
minimum operating temperature -55 C
width 6.22mm
pin count 3
maximum operating temperature +175 C
series SQ Rugged
вид монтажа: SMD/SMT
категория продукта: МОП-транзистор
максимальная рабочая температура: + 175 C
минимальная рабочая температура: - 55 C
подкатегория: MOSFETs
производитель: Vishay
серия: SQ
тип продукта: MOSFET
торговая марка: Vishay / Siliconix
размер фабричной упаковки: 2000
упаковка: Cut Tape, MouseReel, Reel
упаковка / блок: TO-252-3
время нарастания: 11 ns
время спада: 19 ns
коммерческое обозначение: TrenchFET
number of elements per chip 1
channel type P
pd - рассеивание мощности: 71 W
количество каналов: 1 Channel
квалификация: AEC-Q101
технология: Si
конфигурация: Single
transistor configuration Single
maximum drain source voltage 30 V
maximum gate source voltage -20 V, +20 V
maximum continuous drain current 37 A
transistor material Si
maximum drain source resistance 24 mΩ
channel mode Enhancement
minimum gate threshold voltage 1.5V
id - непрерывный ток утечки: 50 A
qg - заряд затвора: 83 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток: 8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V
vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2.5 V
канальный режим: Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.: 34 S
полярность транзистора: P-Channel
тип транзистора: 1 P-Channel
типичное время задержки выключения: 29 ns
типичное время задержки при включении: 11 ns
maximum power dissipation 71 W
typical gate charge @ vgs 55.3 nC 10 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль