Сравнение

SSM6K202FE,LF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.3A 6-Pin ES T/R
Цена 0 47
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 4000
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок ES6-6
серия SSM6K202
длина 1.6 mm
pd - рассеивание мощности 500 mW
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 2.3 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 66 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 31 ns
типичное время задержки при включении 20 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль