Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 LET9045S, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Цена 0 0 0 7 610
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
packaging Tube
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
lead shape Flat
maximum operating temperature (°c) 165
mounting surface mount
part status NRND
pcb changed 3
ppap No
standard package name PowerSO-10RF(Straight lead)
supplier package PowerSO-10RF(Straight lead)
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 79000
minimum operating temperature (°c) -65
configuration Single
process technology LDMOS
number of elements per chip 1
channel type N
maximum frequency (mhz) 1000
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 5
maximum drain source voltage (v) 65
maximum gate source voltage (v) 15
typical input capacitance @ vds (pf) 59 28V
output power (w) 59(Typ)
typical power gain (db) 17.5
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) 0.8 28V
typical output capacitance @ vds (pf) 28 28V
typical forward transconductance (s) 2.5(Min)
typical drain efficiency (%) 65
maximum vswr 10(Min)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль