Сравнение

SI7898DP-T1-E3
Цена 0 560
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.5066
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
серия SI7
длина 6.15 mm
время нарастания 10 ns
время спада 17 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 5 W
другие названия товара № SI7898DP-T1
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4.8 A
qg - заряд затвора 17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 85 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 15 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 24 ns
типичное время задержки при включении 9 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль