Сравнение

AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 IRFP450LC
Цена 0 0 0 630
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
output voltage 5V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3 TO-252-2
moisture sensitive: Yes
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия IRFP
pin count 3
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 190 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
standard package name TO-247
supplier package TO-247AC
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 190000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
package height 20.7(Max)
package length 15.87(Max)
package width 5.31(Max)
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 14 A
qg - заряд затвора 74 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 14
maximum drain source resistance (mohm) 400@10V
maximum drain source voltage (v) 500
maximum gate source voltage (v) ±30
typical fall time (ns) 30
typical gate charge @ 10v (nc) 74(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 74(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf) 2200@25V
typical rise time (ns) 49
typical turn-off delay time (ns) 30
typical turn-on delay time (ns) 14
military No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль