Сравнение

	AP7383-44W5-7	SIHD186N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.175 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mou
Цена	0 ₽	550 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	20
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	—	TO-252-3
серия	—	EF
время нарастания	—	32 ns
время спада	—	7 ns
pd - рассеивание мощности	—	156 W
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	19 A
qg - заряд затвора	—	21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	201 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	3 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	6.5 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	24 ns
типичное время задержки при включении	—	17 ns