Сравнение

Цена 0 180
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1
rds on - drain-source resistance 10.5mО© @ 11A,8V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30V
vgs - gate-source voltage 1.8V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 14A
power dissipation-max (ta=25в°c) 3W
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль