Сравнение

STD10NM60ND
Цена 120
Информация о производителе
Основные
вес, г 0.52
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка / блок TO-252-3
серия STD10NM60ND
pd - рассеивание мощности 70 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 8 A
qg - заряд затвора 19 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль