Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SI7174DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Цена	0 ₽	390 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay / Siliconix
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	PowerPAK-SO-8
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
серия	—	SI7
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pin count	—	8
packaging	—	Tape and Reel
product category	—	Power MOSFET
другие названия товара №	—	SI7174DP-GE3
automotive	—	No
eu rohs	—	Compliant with Exemption
lead shape	—	no lead
maximum operating temperature (°c)	—	150
mounting	—	surface mount
part status	—	active
pcb changed	—	8
ppap	—	No
supplier package	—	PowerPAK SO EP
eccn (us)	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	6250
minimum operating temperature (°c)	—	-55
configuration	—	Single Quad Drain Triple Source
process technology	—	TrenchFET
технология	—	Si
number of elements per chip	—	1
channel type	—	N
channel mode	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	21
maximum drain source resistance (mohm)	—	7 10V
maximum drain source voltage (v)	—	75
maximum gate source leakage current (na)	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	±20
maximum gate threshold voltage (v)	—	4.5
maximum idss (ua)	—	1
typical fall time (ns)	—	12
typical gate charge @ 10v (nc)	—	47.5
typical gate charge @ vgs (nc)	—	47.5 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	2770 40V
typical rise time (ns)	—	11
typical turn-off delay time (ns)	—	38
typical turn-on delay time (ns)	—	21
operating junction temperature (°c)	—	-55 to 150
typical output capacitance (pf)	—	345
maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a)	—	21
maximum diode forward voltage (v)	—	1.2
maximum gate resistance (ohm)	—	2.4
maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w)	—	54
maximum positive gate source voltage (v)	—	20
maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w)	—	6.25
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a)	—	80
minimum gate resistance (ohm)	—	0.3
minimum gate threshold voltage (v)	—	2.5
typical diode forward voltage (v)	—	0.75
typical gate plateau voltage (v)	—	5.2
typical gate to drain charge (nc)	—	14.4
typical gate to source charge (nc)	—	13.8
typical reverse recovery charge (nc)	—	103
typical reverse recovery time (ns)	—	47
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf)	—	140 40V