Сравнение

STP80NF06, N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06 KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена 810 120
Информация о производителе
Основные
вес, г 5 1.95
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 65 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия STP80NF06
длина 10.4 mm
время нарастания 85 ns
время спада 25 ns
коммерческое обозначение STripFET
pd - рассеивание мощности 300 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 80 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 10 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 20 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 70 ns
типичное время задержки при включении 25 ns
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль