Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SiHG186N60EF-GE3, N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG186N60EF-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	310 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—
вес, г	1	—	—	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500	—	—	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—	—	—
load regulation:	20 mV	—	—	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—	—	—
mounting style:	SMD/SMT	—	—	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—	—	—
series:	AS7805	—	—	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—	—	—
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—
moisture sensitive:	Yes	—	—	—	—
output current:	1 A	—	—	—	—
output voltage:	5 V	—	—	—	—
output type:	Fixed	—	—	—	—
quiescent current:	6 mA	—	—	—	—
polarity:	Positive	—	—	—	—
line regulation:	25 mV	—	—	—	—
package / case:	TO-252-2	—	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	40 C	—	55 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	3000	2000	—	500
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	SOT-23-3	TO-92-3	—	TO-247-3
серия	—	AP7384	—	—	EF
выходной ток	—	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	7 V	—	—
полярность	—	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	—	Ammo Pack	—	Tube
mounting type	—	—	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	—	—	Tube
package / case	—	—	—	—	TO-247-3
eccn	—	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	—	8541.29.0095
supplier device package	—	—	—	—	TO-247AC
время нарастания	—	—	—	—	46 ns
время спада	—	—	—	—	32 ns
series	—	—	—	—	EF ->
pd - рассеивание мощности	—	—	—	—	156 W
количество каналов	—	—	—	—	1 Channel
технология	—	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	—	Single
technology	—	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	—	8.4 A
qg - заряд затвора	—	—	—	—	32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	—	168 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	—	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	—	5 V
канальный режим	—	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	—	5.4 S
полярность транзистора	—	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	—	1 N - Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	—	50 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	—	28 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	—	8.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	—	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	—	10V
fet type	—	—	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	—	32nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	—	1081pF @ 100V
power dissipation (max)	—	—	—	—	156W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	—	193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs (max)	—	—	—	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	—	5V @ 250ВµA