Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A STF6N62K3
Цена 0 0 0 0 0 680
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated STMicroelectronics
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-220-3
серия AP7384 STF6N62K3
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3 Full Pack
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-220FP
длина 10.4 mm
время нарастания 12.5 ns
время спада 19 ns
коммерческое обозначение SuperMESH
packaging Tube
product category Power MOSFET
series SuperMESH3в„ў ->
pd - рассеивание мощности 90 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
standard package name TO-220
supplier package TO-220FP
base product number STF6 ->
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 30000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
package height 16.4(Max)
package length 10.4(Max)
package width 4.6(Max)
process technology SuperMESH 3
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 5.5 A
qg - заряд затвора 34 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.28 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 620 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.75 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 27 ns
типичное время задержки при включении 13 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 5.5
maximum drain source resistance (mohm) 1200@10V
maximum drain source voltage (v) 620
maximum gate source leakage current (na) 9000
maximum gate source voltage (v) ±30
maximum gate threshold voltage (v) 4.5
maximum idss (ua) 0.8
typical fall time (ns) 20
typical gate charge @ 10v (nc) 34
typical gate charge @ vgs (nc) 34@10V
typical input capacitance @ vds (pf) 875@50V
typical rise time (ns) 12
typical turn-off delay time (ns) 49
typical turn-on delay time (ns) 22
current - continuous drain (id) @ 25в°c 5.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 620V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 34nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 875pF @ 50V
power dissipation (max) 30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 4.5V @ 50ВµA
military No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль