Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 AP7384-70SA-7 STF6N62K3
Цена 0 0 0 0 680
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated STMicroelectronics
упаковка / блок SOT-23-3 TO-220-3
серия AP7384 STF6N62K3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3 Full Pack
rohs status ROHS3 Compliant
упаковка Tube
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-220FP
длина 10.4 mm
время нарастания 12.5 ns
время спада 19 ns
коммерческое обозначение SuperMESH
packaging Tube
product category Power MOSFET
series SuperMESH3в„ў ->
pd - рассеивание мощности 90 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
standard package name TO-220
supplier package TO-220FP
base product number STF6 ->
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 30000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
package height 16.4(Max)
package length 10.4(Max)
package width 4.6(Max)
process technology SuperMESH 3
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 5.5 A
qg - заряд затвора 34 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.28 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 620 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.75 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 27 ns
типичное время задержки при включении 13 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 5.5
maximum drain source resistance (mohm) 1200@10V
maximum drain source voltage (v) 620
maximum gate source leakage current (na) 9000
maximum gate source voltage (v) ±30
maximum gate threshold voltage (v) 4.5
maximum idss (ua) 0.8
typical fall time (ns) 20
typical gate charge @ 10v (nc) 34
typical gate charge @ vgs (nc) 34@10V
typical input capacitance @ vds (pf) 875@50V
typical rise time (ns) 12
typical turn-off delay time (ns) 49
typical turn-on delay time (ns) 22
current - continuous drain (id) @ 25в°c 5.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 620V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 34nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 875pF @ 50V
power dissipation (max) 30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 4.5V @ 50ВµA
military No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль