Сравнение

	TK8A50D, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 32А, 40Вт, TO220FP
Цена	310 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	1.7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK8A50D
длина	10 mm
время нарастания	20 ns
время спада	12 ns
коммерческое обозначение	MOSVII
pd - рассеивание мощности	40 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	8 A
qg - заряд затвора	16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	850 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	60 ns
типичное время задержки при включении	40 ns