Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	$STL2N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 1.5 А, 3.7 Ом, PowerFLAT, Surface Mount Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыMDmesh K5 Power MOSFETsSTMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.$ STL2N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 1.5 А, 3.7 Ом, PowerFLAT, Surface Mount
Цена	0 ₽	0 ₽	290 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вес, г	—	—	0.73
максимальная рабочая температура	—	—	150 C
линейка продукции	—	—	MDmesh K5
количество выводов	—	—	8вывод(-ов)
вид монтажа:	—	—	SMD/SMT
категория продукта:	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	—	+150 c
минимальная рабочая температура:	—	—	-55 C
подкатегория:	—	—	MOSFETs
производитель:	—	—	stmicroelectronics
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	—	—	3000
серия:	—	—	STL2N80K5
тип продукта:	—	—	MOSFET
торговая марка:	—	—	stmicroelectronics
упаковка:	—	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	MSL 1-Безлимитный
упаковка / блок:	—	—	PowerFLAT-5x6-8
коммерческое обозначение:	—	—	MDmesh
channel type	—	—	N Channel
pd - рассеивание мощности:	—	—	30 W
количество каналов:	—	—	1 Channel
технология:	—	—	Si
рассеиваемая мощность	—	—	33Вт
power dissipation	—	—	33Вт
конфигурация:	—	—	Single
напряжение истока-стока vds	—	—	800В
полярность транзистора	—	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	PowerFLAT
непрерывный ток стока	—	—	1.5А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	3.7Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	4В
id - непрерывный ток утечки:	—	—	2 A
qg - заряд затвора:	—	—	3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	—	3.7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	—	800 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	—	-30 V, +30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	—	4 V
канальный режим:	—	—	Enhancement
полярность транзистора:	—	—	N-Channel
тип транзистора:	—	—	1 N-Channel
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	3.7Ом