Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A TK100L60W,VQ
Цена 0 0 0 0 9 040
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 40 C 55 C
выходной ток 50мА 50 mA 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 100
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Toshiba
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-3PL-3
серия AP7384 TK100L60
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-3PL
rohs status RoHS Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-3P(L)
длина 20 mm
время нарастания 130 ns
время спада 125 ns
коммерческое обозначение DTMOSIV
series DTMOSIV ->
pd - рассеивание мощности 797 W
количество каналов 1 Channel
base product number TLP292 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 100 A
qg - заряд затвора 360 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.7 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 690 ns
типичное время задержки при включении 230 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 100A (Ta)
drain to source voltage (vdss) 600V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 360nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 15000pF @ 30V
power dissipation (max) 797W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 18mOhm @ 50A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 3.7V @ 5mA
fet feature Super Junction
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль