Сравнение

SI2316BDS-T1-GE3
Цена 0 180
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.008
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок SOT-23-3
серия SI2
длина 2.9 mm
время нарастания 11 ns
время спада 7 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 1.66 W
другие названия товара № SI2316BDS-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4.5 A
qg - заряд затвора 6.35 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 6 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 12 ns
типичное время задержки при включении 4.5 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль