Сравнение

AP7384-70SA-7 STB11NK50ZT4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 4.5 А, 0.48 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Цена 0 0 0 570
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated STMicroelectronics
упаковка / блок SOT-23-3 TO-263-3
серия AP7384 STB11NK50Z
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 0.2
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package D2PAK
длина 10.4 mm
время нарастания 18 ns
время спада 15 ns
series SuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности 125 W
количество каналов 1 Channel
base product number STB11 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки 10 A
qg - заряд затвора 49 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 480 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 77 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 41 ns
типичное время задержки при включении 14.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 10A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 500V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 68nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 1390pF @ 25V
power dissipation (max) 125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 520mOhm @ 4.5A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 4.5V @ 100ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль