Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	STB11NK50ZT4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 4.5 А, 0.48 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Цена	0 ₽	570 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Surface Mount
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
вес, г	—	0.2
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	1000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	STMicroelectronics
упаковка / блок	—	TO-263-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	STB11NK50Z
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	D2PAK
длина	—	10.4 mm
время нарастания	—	18 ns
время спада	—	15 ns
series	—	SuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	125 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	STB11 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки	—	10 A
qg - заряд затвора	—	49 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	480 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	3 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	77 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	41 ns
типичное время задержки при включении	—	14.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	10A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	68nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	1390pF @ 25V
power dissipation (max)	—	125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	520mOhm @ 4.5A, 10V
vgs (max)	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	4.5V @ 100ВµA