Сравнение

Цена 0 12
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance 85mО© @ 2.8A,4.5V
transistor polarity P Channel
vds - drain-source breakdown voltage 20V
vgs - gate-source voltage 1.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 3.5A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c) 3W(Tc)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль