Сравнение

TK1K9A60F,S4X
Цена 0 280
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220SIS-3
серия TK1K9A60F
время нарастания 15 ns
время спада 15 ns
pd - рассеивание мощности 30 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3.7 A
qg - заряд затвора 14 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.9 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 50 ns
типичное время задержки при включении 32 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль