Сравнение

SIHD3N50DT4-GE3
Цена 0 280
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TO-252-3
серия D
время нарастания 9 ns
время спада 13 ns
pd - рассеивание мощности 69 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3 A
qg - заряд затвора 12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3.2 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 1 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 11 ns
типичное время задержки при включении 12 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль