Сравнение

Цена 0 94
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 4.54
rds on - drain-source resistance 42mО© @ 3.8A,10V
transistor polarity P Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30V
vgs - gate-source voltage 2.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 5A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c) 1.7W(Tc)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль